Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPG16N10S461AATMA1
IPG16N10S461AATMA1

IPG16N10S461AATMA1 Infineon Technologies

IPG16N10S4-61A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f7617a030a03 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG16N10S461AATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 29W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPG16N10S461AATMA1 за ціною від 31.92 грн до 93.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPG16N10S461AATMA1 IPG16N10S461AATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPG16N10S4-61A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f7617a030a03 Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.2 грн
10+ 69.69 грн
100+ 54.16 грн
500+ 43.09 грн
1000+ 35.1 грн
2000+ 33.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG16N10S461AATMA1 IPG16N10S461AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPG16N10S4_61A_DataSheet_v01_10_EN-3362694.pdf MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.5 грн
10+ 76.06 грн
100+ 51.57 грн
500+ 43.77 грн
1000+ 33.59 грн
2500+ 33.52 грн
5000+ 31.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG16N10S461AATMA1 Виробник : Infineon IPG16N10S4-61A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f7617a030a03
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPG16N10S461AATMA1 IPG16N10S461AATMA1 Виробник : Infineon Technologies 396ipg16n10s4-61a_ds_1_0.pdffolderiddb3a30431f848401011fcbf221ff04c3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній