IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
800+	115.41 грн

Мінімальне замовлення: 800

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції IPF012N06NF2SATMA1 за ціною від 84.56 грн до 241.08 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	IPF012N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R	на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 800+ 116.15 грн Мінімальне замовлення: 800 купити
	IPF012N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R	на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 5+ 148.79 грн 10+  136.78 грн 25+  133.5 грн 100+  118.65 грн 250+  106.6 грн 500+  84.56 грн Мінімальне замовлення: 5 купити
	IPF012N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R	на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 76+ 160.24 грн 82+  147.3 грн 84+  143.76 грн 100+  127.78 грн 250+  114.8 грн 500+  91.06 грн Мінімальне замовлення: 76 купити
	IPF012N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V	на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 2+ 221.25 грн 10+  178.57 грн 100+  144.44 грн Мінімальне замовлення: 2 купити
	IPF012N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFET TRENCH 40<-<100V	на замовлення 236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 2+ 241.08 грн 10+  199.65 грн 25+  163.77 грн 100+  140.57 грн 250+  132.84 грн 500+  125.11 грн 800+  106.83 грн Мінімальне замовлення: 2 купити
	IPF012N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R	на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 800+ 96.76 грн Мінімальне замовлення: 800 купити
	IPF012N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R	товар відсутній	купити
	IPF012N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V	товар відсутній	купити