Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPDQ65R029CFD7AXTMA1

IPDQ65R029CFD7AXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPDQ65R029CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb76e6ef33ab Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1035.82 грн
10+ 916.66 грн
25+ 878.66 грн
100+ 726.54 грн
250+ 690.88 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPDQ65R029CFD7AXTMA1 Infineon Technologies

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 463W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPDQ65R029CFD7AXTMA1 за ціною від 656.49 грн до 1109.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPDQ65R029CFD7AXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPDQ65R029CFD7A_DataSheet_v02_01_EN-3324400.pdf MOSFET
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1109.02 грн
10+ 963.34 грн
25+ 814.69 грн
50+ 769.39 грн
100+ 724.09 грн
250+ 701.09 грн
500+ 656.49 грн
IPDQ65R029CFD7AXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPDQ65R029CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb76e6ef33ab IPDQ65R029CFD7A
товар відсутній
IPDQ65R029CFD7AXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPDQ65R029CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb76e6ef33ab Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній