Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPDQ65R017CFD7XTMA1
IPDQ65R017CFD7XTMA1

IPDQ65R017CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPDQ65R017CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186e047325971e0 Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 61.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12338 pF @ 400 V
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1247.66 грн
10+ 1104.22 грн
25+ 1058.44 грн
100+ 875.18 грн
250+ 832.23 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPDQ65R017CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 61.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 694W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12338 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPDQ65R017CFD7XTMA1 за ціною від 948.15 грн до 1600.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPDQ65R017CFD7XTMA1 IPDQ65R017CFD7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPDQ65R017CFD7_DataSheet_v02_00_EN-3159555.pdf MOSFET
на замовлення 663 шт:
термін постачання 222-231 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1600.64 грн
10+ 1391.06 грн
25+ 1176.58 грн
50+ 1111.22 грн
100+ 1045.85 грн
250+ 1013.52 грн
500+ 948.15 грн
IPDQ65R017CFD7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipdq65r017cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 136A 22-Pin HDSOP EP T/R
товар відсутній
IPDQ65R017CFD7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipdq65r017cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 136A 22-Pin HDSOP EP T/R
товар відсутній
IPDQ65R017CFD7XTMA1 IPDQ65R017CFD7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPDQ65R017CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186e047325971e0 Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 61.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12338 pF @ 400 V
товар відсутній