IPD95R450P7ATMA1

IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies


infineon-ipd95r450p7-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+70.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm.

Інші пропозиції IPD95R450P7ATMA1 за ціною від 70.99 грн до 227.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4 Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 22120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+123.79 грн
500+ 96.64 грн
1000+ 75.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD95R450P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 35nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
на замовлення 1891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+178.19 грн
5+ 147.89 грн
8+ 110.55 грн
22+ 103.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD95R450P7_DataSheet_v02_02_EN-3362335.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.14 грн
10+ 152.77 грн
100+ 106.13 грн
500+ 89.26 грн
1000+ 75.91 грн
2500+ 70.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4 Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 22120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+210.52 грн
10+ 155.33 грн
100+ 123.79 грн
500+ 96.64 грн
1000+ 75.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD95R450P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 35nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1891 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.83 грн
5+ 184.3 грн
8+ 132.66 грн
22+ 124.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4 Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+227.33 грн
10+ 142.62 грн
100+ 99.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4 Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
товар відсутній