Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90P03P4L04ATMA2
IPD90P03P4L04ATMA2

IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+67.8 грн
5000+ 62.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD90P03P4L04ATMA2 за ціною від 61.66 грн до 178.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA2 Виробник : INFINEON Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4 Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+103.29 грн
500+ 82 грн
1000+ 68.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4 Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+150.54 грн
10+ 120.29 грн
100+ 95.73 грн
500+ 76.02 грн
1000+ 64.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD90P03P4L_04_DataSheet_v01_01_EN-3362509.pdf MOSFETs N
на замовлення 5002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164 грн
10+ 134.18 грн
100+ 93.48 грн
250+ 92.78 грн
500+ 78.72 грн
1000+ 67.33 грн
2500+ 63.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA2 Виробник : INFINEON Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4 Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+178.98 грн
10+ 132.46 грн
100+ 103.29 грн
500+ 82 грн
1000+ 68.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD90P03P4L04ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd90p03p4l-04-datasheet-v01_01-en.pdf 60F1-20-22-1-ZB-B
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+61.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD90P03P4L04ATMA2 Виробник : Infineon Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)