Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90P03P404ATMA2
IPD90P03P404ATMA2

IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD90P03P4-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ecafdb27ed Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+67.48 грн
5000+ 62.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 137W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD90P03P404ATMA2 за ціною від 60.77 грн до 150.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD90P03P4_04_DataSheet_v01_01_EN-3132763.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 7919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.59 грн
10+ 115.41 грн
100+ 84.33 грн
500+ 73.18 грн
1000+ 63.28 грн
2500+ 61.75 грн
5000+ 60.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD90P03P4-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ecafdb27ed Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+150.02 грн
10+ 119.71 грн
100+ 95.27 грн
500+ 75.65 грн
1000+ 64.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd90p03p4-04-datasheet-v01_01-en.pdf Power MOSFET Transistor
товар відсутній