![IPD90P03P404ATMA1 IPD90P03P404ATMA1](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_252_AA_3_ITP_t.jpg)
IPD90P03P404ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 163.18 грн |
10+ | 134.18 грн |
100+ | 92.78 грн |
250+ | 85.75 грн |
500+ | 78.02 грн |
1000+ | 66.7 грн |
2500+ | 63.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD90P03P404ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 137W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IPD90P03P404ATMA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IPD90P03P404ATMA1 | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
IPD90P03P404ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPD90P03P404ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPD90P03P404ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
![]() |
IPD90P03P404ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V |
товар відсутній |