Продукція > INFINEON > IPD90N10S406ATMA1
IPD90N10S406ATMA1

IPD90N10S406ATMA1 INFINEON


Part_Number_Guide_Web.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N10S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15558 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+114.33 грн
500+ 90.79 грн
1000+ 71.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N10S406ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPD90N10S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 136W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD90N10S406ATMA1 за ціною від 74.5 грн до 199.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD90N10S406ATMA1 IPD90N10S406ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+183.23 грн
10+ 146.43 грн
100+ 116.54 грн
500+ 92.54 грн
1000+ 78.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD90N10S406ATMA1 IPD90N10S406ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD90N10S4_06_DataSheet_v01_10_EN-3362789.pdf MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 6299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+199.26 грн
10+ 152.77 грн
100+ 113.16 грн
250+ 109.65 грн
500+ 95.59 грн
1000+ 80.83 грн
2500+ 74.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD90N10S406ATMA1 IPD90N10S406ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd90n10s4-06-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD90N10S406ATMA1 IPD90N10S406ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній