![IPD90N04S3-04 IPD90N04S3-04](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_252_AA_3_ITP_t.jpg)
IPD90N04S3-04 Infineon Technologies
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 164 грн |
10+ | 134.18 грн |
100+ | 93.48 грн |
250+ | 86.45 грн |
500+ | 79.42 грн |
2500+ | 63.4 грн |
5000+ | 61.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD90N04S3-04 Infineon Technologies
Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IPD90N04S3-04
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPD90N04S3-04 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V |
товар відсутній |