![IPD900P06NMATMA1 IPD900P06NMATMA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/9/25/14/33/57/936274/smn_/manual/dpk.jpg)
IPD900P06NMATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 22.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD900P06NMATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-313, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V.
Інші пропозиції IPD900P06NMATMA1 за ціною від 31.81 грн до 113.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPD900P06NMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.4A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPD900P06NMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.4A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V |
на замовлення 3476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPD900P06NMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|