IPD900P06NMATMA1

IPD900P06NMATMA1 Infineon Technologies


infineon-ipd900p06nm-ds-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 16.4A T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD900P06NMATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-313, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPD900P06NMATMA1 за ціною від 31.81 грн до 113.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD900P06NMATMA1 IPD900P06NMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD900P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2f59100ba Description: MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD900P06NMATMA1 IPD900P06NMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD900P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2f59100ba Description: MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
на замовлення 3476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.12 грн
10+ 63.12 грн
100+ 49.09 грн
500+ 39.05 грн
1000+ 31.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD900P06NMATMA1 IPD900P06NMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD900P06NM-DS-v02_00-EN-1578854.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.57 грн
10+ 98.16 грн
100+ 66.45 грн
250+ 64.26 грн
Мінімальне замовлення: 3