на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 51.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD85P04P407ATMA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-313, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPD85P04P407ATMA2 за ціною від 50.79 грн до 135.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD85P04P407ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD85P04P407ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 18672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD85P04P407ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
на замовлення 46275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|