Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD80R750P7ATMA1
IPD80R750P7ATMA1

IPD80R750P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cea08926648f0 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80R750P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 51W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V.

Інші пропозиції IPD80R750P7ATMA1 за ціною від 38.75 грн до 113.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r750p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+57.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r750p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
134+90.63 грн
144+ 84.29 грн
171+ 70.99 грн
200+ 64.67 грн
500+ 59.7 грн
1000+ 51.88 грн
2000+ 48.85 грн
2500+ 48.68 грн
Мінімальне замовлення: 134
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cea08926648f0 Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 4144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.03 грн
10+ 82.18 грн
100+ 63.93 грн
500+ 50.85 грн
1000+ 41.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD80R750P7_DataSheet_v02_03_EN-3362359.pdf MOSFETs N
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.83 грн
10+ 92.17 грн
100+ 62.65 грн
500+ 53.1 грн
1000+ 43.21 грн
2500+ 40.7 грн
5000+ 38.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r750p7-datasheet-v02_03-en.pdf P7 Power Transistor
товар відсутній
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r750p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R750P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 51W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 51W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R750P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 51W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 51W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній