Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD80R450P7ATMA1
IPD80R450P7ATMA1

IPD80R450P7ATMA1 Infineon Technologies

2520544736301758infineon-ipd80r450p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625607bd1301562e.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80R450P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD80R450P7ATMA1 за ціною від 53.38 грн до 161.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD80R450P7ATMA1 IPD80R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625607bd1301562e3b26963327 Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+62.85 грн
5000+ 58.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD80R450P7ATMA1 IPD80R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r450p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+84.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD80R450P7ATMA1 IPD80R450P7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002786207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+90.69 грн
500+ 71.8 грн
1000+ 59.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD80R450P7ATMA1 IPD80R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r450p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
116+104.72 грн
117+ 103.72 грн
133+ 91.43 грн
200+ 87.88 грн
500+ 70.67 грн
Мінімальне замовлення: 116
IPD80R450P7ATMA1 IPD80R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r450p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+118.95 грн
10+ 99.85 грн
100+ 82.72 грн
500+ 69.66 грн
1000+ 53.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPD80R450P7ATMA1 IPD80R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r450p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
95+127.69 грн
113+ 107.19 грн
137+ 88.8 грн
500+ 74.77 грн
1000+ 57.31 грн
Мінімальне замовлення: 95
IPD80R450P7ATMA1 IPD80R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625607bd1301562e3b26963327 Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V
на замовлення 12167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.47 грн
10+ 111.51 грн
100+ 88.74 грн
500+ 70.47 грн
1000+ 59.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD80R450P7ATMA1 IPD80R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD80R450P7_DataSheet_v02_03_EN-3362498.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 6045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.16 грн
10+ 116.21 грн
100+ 80.14 грн
500+ 68.72 грн
1000+ 60.98 грн
2500+ 57.22 грн
5000+ 55.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD80R450P7ATMA1 IPD80R450P7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002786207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+161.05 грн
10+ 116.49 грн
100+ 90.69 грн
500+ 71.8 грн
1000+ 59.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD80R450P7ATMA1 IPD80R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2520544736301758infineon-ipd80r450p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625607bd1301562e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товар відсутній
IPD80R450P7ATMA1 IPD80R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r450p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товар відсутній
IPD80R450P7ATMA1 IPD80R450P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R450P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 73W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IPD80R450P7ATMA1 IPD80R450P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R450P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 73W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній