IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 22.31 грн |
| 5000+ | 20.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V, Power Dissipation (Max): 18W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V.
Інші пропозиції IPD80R3K3P7ATMA1 за ціною від 18.12 грн до 57.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 800V CoolMOS P7PowerDevice |
на замовлення 2508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V Power Dissipation (Max): 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IPD80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IPD80R3K3P7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 18W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.3A Power dissipation: 18W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPD80R3K3P7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 18W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.3A Power dissipation: 18W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |