Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD80R360P7ATMA1
IPD80R360P7ATMA1

IPD80R360P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd80r360p7-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+83.78 грн
10+ 82.42 грн
25+ 81.07 грн
100+ 76.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80R360P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 84W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD80R360P7ATMA1 за ціною від 69.34 грн до 186.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD80R360P7ATMA1 IPD80R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r360p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
141+85.84 грн
Мінімальне замовлення: 141
IPD80R360P7ATMA1 IPD80R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r360p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+105.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD80R360P7ATMA1 IPD80R360P7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004583794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+109.45 грн
500+ 89.29 грн
1000+ 69.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD80R360P7ATMA1 IPD80R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r360p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
83+147.01 грн
98+ 123.85 грн
104+ 116.81 грн
200+ 111.66 грн
500+ 94.4 грн
1000+ 85.54 грн
2000+ 83.64 грн
2500+ 83.38 грн
Мінімальне замовлення: 83
IPD80R360P7ATMA1 IPD80R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r360p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
74+164.13 грн
86+ 141.98 грн
100+ 135.94 грн
200+ 130.11 грн
500+ 110.58 грн
1000+ 100.98 грн
2000+ 99.26 грн
Мінімальне замовлення: 74
IPD80R360P7ATMA1 IPD80R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD80R360P7_DataSheet_v02_03_EN-3362428.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 4286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.25 грн
10+ 137.05 грн
100+ 108.72 грн
500+ 91.99 грн
1000+ 78.05 грн
2500+ 73.87 грн
5000+ 69.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD80R360P7ATMA1 IPD80R360P7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004583794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+186.85 грн
10+ 137.6 грн
100+ 109.45 грн
500+ 89.29 грн
1000+ 69.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD80R360P7ATMA1 IPD80R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r360p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD80R360P7ATMA1 IPD80R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r360p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD80R360P7ATMA1 IPD80R360P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R360P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 84W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 84W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPD80R360P7ATMA1 IPD80R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b425a44e73e94 Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
товар відсутній
IPD80R360P7ATMA1 IPD80R360P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b425a44e73e94 Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
товар відсутній
IPD80R360P7ATMA1 IPD80R360P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R360P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 84W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 84W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній