Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD80R280P7ATMA1
IPD80R280P7ATMA1

IPD80R280P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd80r280p7-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+89.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80R280P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 101W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD80R280P7ATMA1 за ціною від 87.33 грн до 213.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155da39b3dc5a9b Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+94.91 грн
5000+ 87.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002379876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+138.38 грн
500+ 115.43 грн
1000+ 93.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r280p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+147.43 грн
10+ 134.79 грн
25+ 120.21 грн
100+ 110.36 грн
250+ 101.25 грн
500+ 87.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r280p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
79+153.06 грн
86+ 140.97 грн
100+ 136.95 грн
200+ 131.08 грн
500+ 118.68 грн
Мінімальне замовлення: 79
IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r280p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
77+158.78 грн
84+ 145.16 грн
94+ 129.45 грн
100+ 118.85 грн
250+ 109.04 грн
500+ 94.04 грн
Мінімальне замовлення: 77
IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002379876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+171.99 грн
50+ 155.58 грн
100+ 138.38 грн
500+ 115.43 грн
1000+ 93.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155da39b3dc5a9b Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
на замовлення 7449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.5 грн
10+ 157.68 грн
100+ 127.52 грн
500+ 106.38 грн
1000+ 91.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD80R280P7_DataSheet_v02_02_EN-3362382.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.02 грн
10+ 177.92 грн
25+ 148.44 грн
100+ 118.48 грн
250+ 117.78 грн
500+ 106.63 грн
1000+ 94.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r280p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r280p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R280P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.6A; 101W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 101W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R280P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.6A; 101W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 101W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній