Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD80R1K4P7ATMA1
IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd80r1k4p7-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD80R1K4P7ATMA1 за ціною від 25.51 грн до 72.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k4p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k4p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9fa098058e5 Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+30.08 грн
5000+ 27.58 грн
12500+ 26.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k4p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
345+34.96 грн
346+ 34.86 грн
347+ 34.76 грн
1000+ 33.42 грн
Мінімальне замовлення: 345
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004583431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+38.48 грн
500+ 33.17 грн
1000+ 29.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k4p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+39.49 грн
17+ 36.44 грн
25+ 29.45 грн
Мінімальне замовлення: 16
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD80R1K4P7_DataSheet_v02_03_EN-3362531.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 4749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.45 грн
10+ 45.67 грн
100+ 34.16 грн
500+ 31.35 грн
1000+ 28.33 грн
2500+ 25.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004583431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+66.55 грн
17+ 49.12 грн
100+ 38.48 грн
500+ 33.17 грн
1000+ 29.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9fa098058e5 Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 17277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.99 грн
10+ 57.25 грн
100+ 44.55 грн
500+ 35.44 грн
1000+ 28.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k4p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k4p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R1K4P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R1K4P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній