Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD80R1K2P7ATMA1
IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
800V CoolMOS P7 Power Transistor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD80R1K2P7ATMA1 за ціною від 28.64 грн до 95.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD80R1K2P7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262475fbe01624864728b3cd0&redirId=136886 Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+33.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+44.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003370821-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+53.63 грн
500+ 42.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
167+72.7 грн
179+ 67.57 грн
213+ 56.89 грн
225+ 51.85 грн
500+ 47.83 грн
1000+ 39.62 грн
2500+ 37.29 грн
Мінімальне замовлення: 167
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD80R1K2P7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262475fbe01624864728b3cd0&redirId=136886 Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 14924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.42 грн
10+ 64.32 грн
100+ 50 грн
500+ 39.78 грн
1000+ 32.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD80R1K2P7_DataSheet_v02_03_EN-3362787.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 9477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87 грн
10+ 70.77 грн
100+ 47.81 грн
500+ 40.56 грн
1000+ 33.03 грн
2500+ 28.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003370821-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+95.38 грн
11+ 74.04 грн
100+ 53.63 грн
500+ 42.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R1K2P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R1K2P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній