Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70R950CEAUMA1
IPD70R950CEAUMA1

IPD70R950CEAUMA1 Infineon Technologies

180infineon-ips70r950ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a40153a3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+69.28 грн
5000+ 68.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70R950CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD70R950CEAUMA1 за ціною від 73.9 грн до 74.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD70R950CEAUMA1 IPD70R950CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 180infineon-ips70r950ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a40153a3.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+74.61 грн
5000+ 73.9 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD70R950CEAUMA1 IPD70R950CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 180infineon-ips70r950ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a40153a3.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD70R950CEAUMA1 IPD70R950CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70R950CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a32b85797d3c Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товар відсутній
IPD70R950CEAUMA1 IPD70R950CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70R950CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a32b85797d3c Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товар відсутній
IPD70R950CEAUMA1 IPD70R950CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD70R950CE_DS_v02_00_EN-3164595.pdf MOSFET CONSUMER
товар відсутній