Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70R360P7SAUMA1
IPD70R360P7SAUMA1

IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf6fb1440d5c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 102500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD70R360P7SAUMA1 за ціною від 22.47 грн до 58.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
434+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 434
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002815973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.36 грн
500+ 29.02 грн
1000+ 25.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002815973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+46.21 грн
50+ 39.33 грн
100+ 32.36 грн
500+ 29.02 грн
1000+ 25.84 грн
Мінімальне замовлення: 18
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf6fb1440d5c Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 105869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.31 грн
10+ 37.62 грн
100+ 29.28 грн
500+ 23.29 грн
1000+ 23.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+47.68 грн
16+ 39.57 грн
25+ 39.18 грн
100+ 30.51 грн
250+ 27.97 грн
500+ 23.24 грн
1000+ 22.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD70R360P7S_DataSheet_v02_02_EN-3362786.pdf MOSFETs N
на замовлення 177976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+51.27 грн
10+ 41.45 грн
100+ 28.07 грн
500+ 24.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
232+52.79 грн
252+ 48.62 грн
274+ 44.64 грн
283+ 41.77 грн
500+ 37.22 грн
1000+ 34.42 грн
2500+ 32.59 грн
5000+ 32.24 грн
Мінімальне замовлення: 232
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+56.59 грн
25+ 47.79 грн
26+ 41.27 грн
70+ 39.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+58.56 грн
9+ 45.41 грн
25+ 39.83 грн
26+ 34.39 грн
70+ 32.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній