Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70R1K4P7SAUMA1
IPD70R1K4P7SAUMA1

IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd70r1k4p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22.7W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm.

Інші пропозиції IPD70R1K4P7SAUMA1 за ціною від 12.66 грн до 47.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r1k4p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r1k4p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf8a07650db5 Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.45 грн
5000+ 14.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r1k4p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
758+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 758
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : INFINEON 2371107.pdf Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+25.07 грн
500+ 19.48 грн
1000+ 16.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r1k4p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+33.03 грн
20+ 29.87 грн
25+ 29.57 грн
100+ 23.87 грн
250+ 21.23 грн
500+ 16.97 грн
1000+ 12.66 грн
Мінімальне замовлення: 19
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r1k4p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
325+37.17 грн
445+ 27.12 грн
447+ 27.03 грн
500+ 23.53 грн
1000+ 16.32 грн
Мінімальне замовлення: 325
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf8a07650db5 Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
на замовлення 11378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.3 грн
10+ 33.97 грн
100+ 23.49 грн
500+ 18.42 грн
1000+ 15.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD70R1K4P7S_DataSheet_v02_02_EN-3362600.pdf MOSFETs N
на замовлення 13448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.46 грн
10+ 37.18 грн
100+ 22.35 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 15.88 грн
2500+ 14.13 грн
5000+ 13.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : INFINEON 2371107.pdf Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+47.86 грн
20+ 40.29 грн
100+ 25.07 грн
500+ 19.48 грн
1000+ 16.08 грн
Мінімальне замовлення: 17
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r1k4p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товар відсутній
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R1K4P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R1K4P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній