IPD65R600E6ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 39.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD65R600E6ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 63W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IPD65R600E6ATMA1 за ціною від 39.87 грн до 39.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD65R600E6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 63W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 2564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
IPD65R600E6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2 |
на замовлення 2464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
 |
IPD65R600E6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||
 |
IPD65R600E6ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: PG-TO252-3 On-state resistance: 0.6Ω Power dissipation: 63W Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain current: 7.3A Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
 |
IPD65R600E6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||
|
|
IPD65R600E6ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: PG-TO252-3 On-state resistance: 0.6Ω Power dissipation: 63W Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain current: 7.3A Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 650V |
товар відсутній |