Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R600P7SAUMA1
IPD60R600P7SAUMA1

IPD60R600P7SAUMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd60r600p7s-ds-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R600P7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400.

Інші пропозиції IPD60R600P7SAUMA1 за ціною від 18.32 грн до 61.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+21.68 грн
5000+ 19.78 грн
12500+ 18.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c Description: INFINEON - IPD60R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+35.73 грн
500+ 27.66 грн
1000+ 21.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 4A
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO252-3
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 9nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 16A
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+39.87 грн
13+ 30.2 грн
25+ 26.5 грн
37+ 22.58 грн
102+ 21.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 4A
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO252-3
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 9nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+47.85 грн
8+ 37.63 грн
25+ 31.8 грн
37+ 27.09 грн
102+ 25.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
232+52.16 грн
273+ 44.41 грн
319+ 37.97 грн
336+ 34.76 грн
500+ 30.12 грн
1000+ 27.1 грн
2500+ 24.86 грн
Мінімальне замовлення: 232
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c Description: INFINEON - IPD60R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+57.15 грн
50+ 46.44 грн
100+ 35.73 грн
500+ 27.66 грн
1000+ 21.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 17925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.29 грн
10+ 47.62 грн
100+ 32.97 грн
500+ 25.85 грн
1000+ 22 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R600P7S_DataSheet_v02_02_EN-3362848.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 5258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+61.22 грн
10+ 50.57 грн
100+ 31.85 грн
500+ 26.55 грн
1000+ 22.65 грн
2500+ 18.68 грн
5000+ 18.4 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній