IPD60R600C6ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 37.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R600C6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R600C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPD60R600C6ATMA1 за ціною від 35.42 грн до 119.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R600C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R600C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R600C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R600C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R600C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R600C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 600V 20.2A DPAK-2 |
на замовлення 46849 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R600C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V |
на замовлення 9614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R600C6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R600C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R600C6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IPD60R600C6ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 19A; 63W; PG-TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.6A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 63W Case: PG-TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IPD60R600C6ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 19A; 63W; PG-TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.6A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 63W Case: PG-TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |