IPD60R460CEAUMA1

IPD60R460CEAUMA1 Infineon Technologies


Infineon_IPD60R460CE_DS_v02_02_EN-3164611.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET CONSUMER
на замовлення 2154 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.12 грн
10+ 83.25 грн
100+ 56.58 грн
500+ 46.74 грн
1000+ 36.9 грн
2500+ 32.61 грн
10000+ 31.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R460CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: CONSUMER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-344, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD60R460CEAUMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD60R460CEAUMA1 IPD60R460CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 26609658260563dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD60R460CEAUMA1 IPD60R460CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R460CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c8366df61f0e Description: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
товар відсутній