Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R400CEAUMA1
IPD60R400CEAUMA1

IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies

119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+30.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 112W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 112W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPD60R400CEAUMA1 за ціною від 32.67 грн до 119.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c Description: MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+37.34 грн
5000+ 34.25 грн
12500+ 32.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+42.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
191+63.57 грн
192+ 62.94 грн
216+ 55.95 грн
250+ 53.41 грн
500+ 45.68 грн
1000+ 39 грн
Мінімальне замовлення: 191
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+64.52 грн
11+ 59.03 грн
25+ 58.44 грн
100+ 50.1 грн
250+ 45.92 грн
500+ 40.72 грн
1000+ 36.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002362965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 112W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+73.96 грн
500+ 56.55 грн
1000+ 41.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
145+83.71 грн
159+ 76.31 грн
195+ 62.04 грн
209+ 55.96 грн
1000+ 45.95 грн
2000+ 41.11 грн
Мінімальне замовлення: 145
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
143+85.09 грн
Мінімальне замовлення: 143
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c Description: MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 15588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.46 грн
10+ 71.14 грн
100+ 55.32 грн
500+ 44.01 грн
1000+ 35.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R400CE_DS_v02_02_EN-3164547.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.88 грн
10+ 76.06 грн
100+ 53.17 грн
500+ 46.28 грн
1000+ 42.51 грн
2500+ 36.1 грн
5000+ 35.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002362965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 112W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 112W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+119.61 грн
10+ 99.29 грн
100+ 73.96 грн
500+ 56.55 грн
1000+ 41.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD60R400CEAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.3A; Idm: 30A; 112W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 112W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IPD60R400CEAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.3A; Idm: 30A; 112W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 112W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній