Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R360PFD7SAUMA1
IPD60R360PFD7SAUMA1

IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd60r360pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+38.88 грн
25+ 38.27 грн
100+ 36.32 грн
250+ 33.08 грн
500+ 31.24 грн
1000+ 30.72 грн
Мінімальне замовлення: 16
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-344, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPD60R360PFD7SAUMA1 за ціною від 28.92 грн до 87.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
289+41.87 грн
294+ 41.21 грн
298+ 40.56 грн
303+ 38.47 грн
500+ 35.04 грн
1000+ 33.08 грн
Мінімальне замовлення: 289
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R360PFD7S_DataSheet_v02_00_EN-1840586.pdf MOSFETs N
на замовлення 3546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.88 грн
10+ 61.79 грн
100+ 43.14 грн
500+ 37.49 грн
1000+ 33.59 грн
2500+ 28.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750 Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.91 грн
10+ 63.3 грн
100+ 49.25 грн
500+ 39.17 грн
1000+ 31.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
139+87.51 грн
152+ 79.7 грн
187+ 64.81 грн
200+ 58.53 грн
1000+ 47.96 грн
2000+ 42.96 грн
Мінімальне замовлення: 139
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A T/R
товар відсутній
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r360pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD60R360PFD7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 715mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750 Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
товар відсутній
IPD60R360PFD7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 715mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній