![IPD60R360P7SAUMA1 IPD60R360P7SAUMA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/10/9/6/37/48/116/smn_/manual/600v_p7_dpak.jpg_472149771.jpg)
IPD60R360P7SAUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 22.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R360P7SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm.
Інші пропозиції IPD60R360P7SAUMA1 за ціною від 23.83 грн до 82.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPD60R360P7SAUMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
на замовлення 265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD60R360P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V |
на замовлення 1754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD60R360P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3081 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD60R360P7SAUMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
на замовлення 265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD60R360P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPD60R360P7SAUMA1 | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
IPD60R360P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPD60R360P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPD60R360P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V |
товар відсутній |