IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 12.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPD60R2K1CEAUMA1 за ціною від 12.27 грн до 48.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPD60R2K1CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPD60R2K1CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V |
на замовлення 10286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPD60R2K1CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER |
на замовлення 15825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPD60R2K1CEAUMA1 | Виробник : Infineon |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |