IPD60R280P7ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 85.22 грн |
| 500+ | 66.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R280P7ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm.
Інші пропозиції IPD60R280P7ATMA1 за ціною від 59.86 грн до 156.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R280P7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3 Polarisation: unipolar Power dissipation: 53W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.28Ω Drain current: 8A Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 18nC Drain-source voltage: 600V Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD |
на замовлення 2458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R280P7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3 Polarisation: unipolar Power dissipation: 53W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.28Ω Drain current: 8A Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 18nC Drain-source voltage: 600V Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2458 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R280P7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm |
на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD60R280P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
на замовлення 967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD60R280P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IPD60R280P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPD60R280P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IPD60R280P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPD60R280P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V |
товар відсутній |