IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 16.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 61W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-344, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPD60R1K0CEAUMA1 за ціною від 16.87 грн до 53.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R1K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R1K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 16441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R1K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V |
на замовлення 10017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|