Продукція > INFINEON > IPD60R180C7ATMA1
IPD60R180C7ATMA1

IPD60R180C7ATMA1 INFINEON

3970159.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+133.73 грн
500+ 113.89 грн
1000+ 90.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R180C7ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPD60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.155ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm.

Інші пропозиції IPD60R180C7ATMA1 за ціною від 86.76 грн до 251.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD60R180C7ATMA1 IPD60R180C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fd622c0914c61 Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.78 грн
10+ 165.99 грн
100+ 132.08 грн
500+ 104.88 грн
1000+ 88.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD60R180C7ATMA1 IPD60R180C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R180C7_DataSheet_v02_01_EN-3362729.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+224.67 грн
10+ 184.95 грн
100+ 127.68 грн
250+ 122.03 грн
500+ 107.92 грн
1000+ 91.7 грн
2500+ 86.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD60R180C7ATMA1 IPD60R180C7ATMA1 Виробник : INFINEON 3970159.pdf Description: INFINEON - IPD60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+246.89 грн
10+ 183.58 грн
100+ 133.73 грн
500+ 113.89 грн
1000+ 90.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD60R180C7ATMA1 IPD60R180C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r180c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
49+251.74 грн
55+ 226.26 грн
100+ 206.9 грн
200+ 197.54 грн
500+ 161.98 грн
1000+ 143.27 грн
2000+ 131.04 грн
2500+ 128.42 грн
Мінімальне замовлення: 49
IPD60R180C7ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPD60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fd622c0914c61
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD60R180C7ATMA1 IPD60R180C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r180c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD60R180C7ATMA1 IPD60R180C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r180c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD60R180C7ATMA1 IPD60R180C7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fd622c0914c61 Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
товар відсутній