![IPD60R170CFD7 IPD60R170CFD7](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/EB/7E/00/00/0/59326_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=dfcf574262bb75eac0f44b07d923e45d982f656b)
IPD60R170CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES
![IPD60R170CFD7.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 76W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 76W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R170CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 76W; PG-TO252-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 9A, Power dissipation: 76W, Case: PG-TO252-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.325Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 28nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPD60R170CFD7
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPD60R170CFD7 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 76W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Power dissipation: 76W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.325Ω Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |