IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 29.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPD530N15N3GATMA1 за ціною від 36.07 грн до 122.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD530N15N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD530N15N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD530N15N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD530N15N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 68 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 4323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD530N15N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
на замовлення 21350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD530N15N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD530N15N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD530N15N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V |
на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD530N15N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD530N15N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPD530N15N3GATMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
IPD530N15N3GATMA1 Код товару: 182945 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
IPD530N15N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPD530N15N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V |
товар відсутній |