Технічний опис IPD50R520CPBTMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.1A; 66W; PG-TO252-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 7.1A, Power dissipation: 66W, Case: PG-TO252-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.52Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPD50R520CPBTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD50R520CPBTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.1A; 66W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.1A Power dissipation: 66W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IPD50R520CPBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: LOW POWER_LEGACY |
товар відсутній |
|
|
|
IPD50R520CPBTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.1A; 66W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.1A Power dissipation: 66W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |