IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 10.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD50R2K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 33W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPD50R2K0CEAUMA1 за ціною від 10.73 грн до 56.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD50R2K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD50R2K0CEAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50R2K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 33W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD50R2K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V |
на замовлення 5653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD50R2K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD50R2K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 5006 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD50R2K0CEAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50R2K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD50R2K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IPD50R2K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IPD50R2K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |