Продукція > INFINEON > IPD50P04P413ATMA1
IPD50P04P413ATMA1

IPD50P04P413ATMA1 INFINEON


INFNS16980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 17150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+67.23 грн
500+ 52.85 грн
1000+ 37.46 грн
5000+ 36.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50P04P413ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 58W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPD50P04P413ATMA1 за ціною від 36.72 грн до 119.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD50P04P413ATMA1 IPD50P04P413ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 17150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+119.61 грн
10+ 91.47 грн
100+ 67.23 грн
500+ 52.85 грн
1000+ 37.46 грн
5000+ 36.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPD50P04P413ATMA1 IPD50P04P413ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50p04p4-13-datasheet-v01_03-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD50P04P413ATMA1 IPD50P04P413ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50p04p4-13-datasheet-v01_03-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD50P04P413ATMA1 IPD50P04P413ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50p04p4-13-datasheet-v01_03-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD50P04P413ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50P04P4_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3&ack=t Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -45A; 58W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -45A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IPD50P04P413ATMA1 IPD50P04P413ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50P04P4_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3&ack=t Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V
товар відсутній
IPD50P04P413ATMA1 IPD50P04P413ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50P04P4_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3&ack=t Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V
товар відсутній
IPD50P04P413ATMA1 IPD50P04P413ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD50P04P4_13_DataSheet_v01_03_EN-2238183.pdf MOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
товар відсутній
IPD50P04P413ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50P04P4_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3&ack=t Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -45A; 58W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -45A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній