Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50N10S3L16ATMA1
IPD50N10S3L16ATMA1

IPD50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies

ipd50n10s3l-16_ds_1_1_neu.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPD50N10S3L16ATMA1 за ціною від 56.56 грн до 137.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n10s3l-16-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+64.5 грн
5000+ 62.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n10s3l-16-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+64.99 грн
5000+ 62.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n10s3l-16-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+72.23 грн
10+ 70.29 грн
25+ 69.24 грн
100+ 64.42 грн
250+ 59.59 грн
500+ 57.15 грн
1000+ 57.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n10s3l-16-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
156+77.78 грн
160+ 75.7 грн
163+ 74.56 грн
168+ 69.38 грн
250+ 64.17 грн
500+ 61.54 грн
1000+ 61.48 грн
Мінімальне замовлення: 156
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+83.65 грн
500+ 68.17 грн
1000+ 56.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Description: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+109.45 грн
50+ 100.07 грн
100+ 90.69 грн
500+ 74.77 грн
1000+ 60.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n10s3l-16-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
101+120.17 грн
111+ 108.87 грн
136+ 89.36 грн
200+ 80.62 грн
500+ 74.37 грн
1000+ 63.48 грн
2000+ 59.16 грн
2500+ 59.07 грн
5000+ 57.49 грн
Мінімальне замовлення: 101
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.96 грн
10+ 109.98 грн
100+ 87.56 грн
500+ 69.52 грн
1000+ 58.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n10s3l-16-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 38A; Idm: 200A
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TO252-3-11
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Drain current: 38A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS® -T
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
товар відсутній
IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 38A; Idm: 200A
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TO252-3-11
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Drain current: 38A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS® -T
товар відсутній