Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50N04S4L08ATMA1
IPD50N04S4L08ATMA1

IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies

ipd50n04s4l-08_ds_1_0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0062 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPD50N04S4L08ATMA1 за ціною від 24.96 грн до 72.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+28.54 грн
5000+ 26.17 грн
12500+ 24.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n04s4l-08-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+28.61 грн
5000+ 27.58 грн
10000+ 26.5 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n04s4l-08-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+28.83 грн
5000+ 27.79 грн
10000+ 26.7 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0062 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 28329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+40.83 грн
500+ 32.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n04s4l-08-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
270+45.41 грн
273+ 44.95 грн
312+ 39.31 грн
314+ 37.67 грн
500+ 32.43 грн
1000+ 29.21 грн
3000+ 27.29 грн
Мінімальне замовлення: 270
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n04s4l-08-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+46.36 грн
15+ 42.16 грн
25+ 41.74 грн
100+ 35.2 грн
250+ 32.39 грн
500+ 28.91 грн
1000+ 27.13 грн
3000+ 25.34 грн
Мінімальне замовлення: 14
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD50N04S4L_08_DataSheet_v01_10_EN-3362355.pdf MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 4689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.66 грн
10+ 49.65 грн
100+ 35.62 грн
500+ 31.53 грн
1000+ 27.86 грн
2500+ 26.31 грн
5000+ 24.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.67 грн
10+ 54.3 грн
100+ 42.28 грн
500+ 33.63 грн
1000+ 27.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0062 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 28329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+72.64 грн
14+ 56.97 грн
100+ 40.83 грн
500+ 32.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n04s4l-08-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD50N04S4L08ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 40V; 49A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IPD50N04S4L08ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 40V; 49A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній