![IPD42DP15LMATMA1 IPD42DP15LMATMA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4845/448_TO252-3.jpg)
IPD42DP15LMATMA1 Infineon Technologies
![Infineon-IPD42DP15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bde11d69b1bb1](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 103.4 грн |
10+ | 81.34 грн |
100+ | 63.29 грн |
500+ | 50.34 грн |
1000+ | 41.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD42DP15LMATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 8.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V.
Інші пропозиції IPD42DP15LMATMA1 за ціною від 32.88 грн до 148.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD42DP15LMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3081 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPD42DP15LMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IPD42DP15LMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V |
товар відсутній |