Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD42DP15LMATMA1
IPD42DP15LMATMA1

IPD42DP15LMATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD42DP15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bde11d69b1bb1 Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.4 грн
10+ 81.34 грн
100+ 63.29 грн
500+ 50.34 грн
1000+ 41.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD42DP15LMATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 8.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V.

Інші пропозиції IPD42DP15LMATMA1 за ціною від 32.88 грн до 148.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD42DP15LMATMA1 IPD42DP15LMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD42DP15LM_DataSheet_v02_00_EN-2942438.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.42 грн
10+ 122.86 грн
100+ 85.05 грн
250+ 83.64 грн
500+ 70.99 грн
1000+ 60.59 грн
2500+ 58.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD42DP15LMATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd42dp15lm-datasheet-v02_00-en.pdf P Channel Power Mosfet
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD42DP15LMATMA1 IPD42DP15LMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD42DP15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bde11d69b1bb1 Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
товар відсутній