IPD380P06NMATMA1

IPD380P06NMATMA1 Infineon Technologies


infineon-ipd380p06nm-ds-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 35A T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD380P06NMATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPD380P06NMATMA1 за ціною від 64.54 грн до 172.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD380P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2ea8300b7 Description: MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+71.48 грн
5000+ 66.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD380P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2ea8300b7 Description: MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
на замовлення 21881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.71 грн
10+ 126.82 грн
100+ 100.92 грн
500+ 80.14 грн
1000+ 68 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD380P06NM_DS_v02_00_EN-1578869.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 40061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+172.82 грн
10+ 133.85 грн
100+ 98.75 грн
500+ 83.24 грн
1000+ 70.54 грн
2500+ 66.24 грн
5000+ 64.54 грн
Мінімальне замовлення: 2