![IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/9/6/13/26/391/smn_/manual/infineontechnologiesag.jpg)
IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 21.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD33CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 58W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 58W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPD33CN10NGATMA1 за ціною від 23.62 грн до 111.8 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPD33CN10NGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V |
на замовлення 31500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD33CN10NGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD33CN10NGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V |
на замовлення 33876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD33CN10NGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3608 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD33CN10NGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD33CN10NGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD33CN10NGATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 58W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPD33CN10NGATMA1 Код товару: 195321 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IPD33CN10NGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
IPD33CN10NGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 108A; 58W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 58W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IPD33CN10NGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 108A; 58W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 58W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |