Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD30N12S3L31ATMA1
IPD30N12S3L31ATMA1

IPD30N12S3L31ATMA1 Infineon Technologies

215infineon-ipd30n12s3l-31-ds-v01_00-en.pdffileid5546d462584d1d4a015.pdf Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS -T Power-Transistor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD30N12S3L31ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD30N12S3L31ATMA1 за ціною від 27.71 грн до 94.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD30N12S3L31ATMA1 IPD30N12S3L31ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD30N12S3L-31-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158bae780ec7fd2 Description: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+52.67 грн
500+ 41.37 грн
1000+ 27.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD30N12S3L31ATMA1 IPD30N12S3L31ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD30N12S3L_31_DataSheet_v01_01_EN-3362329.pdf MOSFET N-CHANNEL 100+
на замовлення 6905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.1 грн
10+ 68.22 грн
100+ 46.95 грн
500+ 39.71 грн
1000+ 32.33 грн
2500+ 28.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD30N12S3L31ATMA1 IPD30N12S3L31ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD30N12S3L-31-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158bae780ec7fd2 Description: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+94.62 грн
12+ 71.59 грн
100+ 52.67 грн
500+ 41.37 грн
1000+ 27.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPD30N12S3L31ATMA1 IPD30N12S3L31ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N12S3L-31-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158bae780ec7fd2 Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPD30N12S3L31ATMA1 IPD30N12S3L31ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N12S3L-31-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158bae780ec7fd2 Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній