![IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/efd30ce0f6b80b8872b853495d08e8df85502ce7/pg-to252-3-11_lowres.jpg)
IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
279+ | 43.93 грн |
289+ | 42.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IPD30N08S2L21ATMA1 за ціною від 45.78 грн до 113.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPD30N08S2L21ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD30N08S2L21ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD30N08S2L21ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD30N08S2L21ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD30N08S2L21ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 38656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD30N08S2L21ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD30N08S2L21ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V |
на замовлення 20067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD30N08S2L21ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
IPD30N08S2L21ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 75V; 30A; Idm: 120A; 136W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 136W Case: PG-TO252-3-11 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IPD30N08S2L21ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 75V; 30A; Idm: 120A; 136W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 136W Case: PG-TO252-3-11 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |