Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD30N06S2L13ATMA4
IPD30N06S2L13ATMA4

IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon Technologies

ipd30n06s2l-13_green.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPD30N06S2L13ATMA4 за ціною від 42.13 грн до 140.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+48.17 грн
5000+ 44.64 грн
12500+ 43.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
237+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 237
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+65.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+70.69 грн
10+ 64.87 грн
100+ 57.98 грн
250+ 54.2 грн
500+ 46.36 грн
1000+ 42.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
159+76.13 грн
173+ 69.86 грн
194+ 62.44 грн
250+ 58.37 грн
500+ 49.93 грн
1000+ 45.37 грн
Мінімальне замовлення: 159
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : INFINEON INFNS09572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+78.45 грн
500+ 63.62 грн
1000+ 46.23 грн
5000+ 45.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
154+78.66 грн
159+ 76.14 грн
172+ 70.21 грн
200+ 65.77 грн
500+ 60.72 грн
1000+ 55.37 грн
2000+ 54.68 грн
Мінімальне замовлення: 154
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+85.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 17954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.2 грн
10+ 85.44 грн
100+ 68.02 грн
500+ 54.01 грн
1000+ 45.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD30N06S2L_13_DS_v01_00_en-1731848.pdf MOSFETs N
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+107.42 грн
10+ 85.68 грн
100+ 62.91 грн
250+ 61.15 грн
500+ 53.49 грн
1000+ 46.25 грн
2500+ 44.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : INFINEON INFNS09572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+140.35 грн
10+ 106.44 грн
100+ 78.45 грн
500+ 63.62 грн
1000+ 46.23 грн
5000+ 45.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній