![IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/48/45/441435/smn_/manual/pg-to252-3-11_lowres.jpg_4721497711.jpg)
IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 43.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPD30N06S2L13ATMA4 за ціною від 42.13 грн до 140.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPD30N06S2L13ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD30N06S2L13ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD30N06S2L13ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD30N06S2L13ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD30N06S2L13ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD30N06S2L13ATMA4 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 10629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD30N06S2L13ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD30N06S2L13ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD30N06S2L13ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
на замовлення 17954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD30N06S2L13ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD30N06S2L13ATMA4 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 10629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD30N06S2L13ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPD30N06S2L13ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPD30N06S2L13ATMA4 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |