![IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4845/448_TO252-3.jpg)
IPD30N03S4L09ATMA1 Infineon Technologies
![Infineon-IPD30N03S4L_09-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b&ack=t](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 23.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD30N03S4L09ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.
Інші пропозиції IPD30N03S4L09ATMA1 за ціною від 21.14 грн до 48.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPD30N03S4L09ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPD30N03S4L09ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPD30N03S4L09ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPD30N03S4L09ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPD30N03S4L09ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 |
на замовлення 30451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPD30N03S4L09ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
IPD30N03S4L09ATMA1 Код товару: 202239 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
IPD30N03S4L09ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IPD30N03S4L09ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IPD30N03S4L09ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W Polarisation: unipolar Power dissipation: 42W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 9mΩ Drain current: 30A Gate charge: 15nC Drain-source voltage: 30V Technology: OptiMOS™ T2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IPD30N03S4L09ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IPD30N03S4L09ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W Polarisation: unipolar Power dissipation: 42W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 9mΩ Drain current: 30A Gate charge: 15nC Drain-source voltage: 30V Technology: OptiMOS™ T2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD |
товар відсутній |