Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD200N15N3GATMA1
IPD200N15N3GATMA1

IPD200N15N3GATMA1 Infineon Technologies

377761254472016infineon-ipb200n15n3g-ds-v02_07-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+61.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD200N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm.

Інші пропозиції IPD200N15N3GATMA1 за ціною від 65.99 грн до 243.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+73.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 377761254472016infineon-ipb200n15n3g-ds-v02_07-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+79.19 грн
5000+ 78.4 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 377761254472016infineon-ipb200n15n3g-ds-v02_07-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+85.28 грн
5000+ 84.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 47343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.13 грн
10+ 97.86 грн
100+ 77.88 грн
500+ 65.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001300200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 23381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+136.03 грн
500+ 108.17 грн
1000+ 82.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD_BIP_200N15N3_DS_v02_07_en-3164333.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 26727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+156.92 грн
10+ 128.23 грн
100+ 88.51 грн
500+ 83.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001300200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 23381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+167.3 грн
50+ 151.67 грн
100+ 136.03 грн
500+ 108.17 грн
1000+ 82.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 377761254472016infineon-ipb200n15n3g-ds-v02_07-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+215.03 грн
10+ 179.44 грн
25+ 168.81 грн
100+ 135.5 грн
250+ 117.84 грн
500+ 98.57 грн
1000+ 77.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 377761254472016infineon-ipb200n15n3g-ds-v02_07-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
53+231.57 грн
63+ 193.24 грн
67+ 181.8 грн
100+ 145.93 грн
250+ 126.9 грн
500+ 106.15 грн
1000+ 83.67 грн
Мінімальне замовлення: 53
IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 377761254472016infineon-ipb200n15n3g-ds-v02_07-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+243.42 грн
56+ 217.74 грн
100+ 199.26 грн
200+ 190.16 грн
500+ 156.82 грн
1000+ 138.21 грн
2000+ 125.9 грн
2500+ 124.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
IPD200N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; Idm: 200A; 150W
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
On-state resistance: 20mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPD200N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; Idm: 200A; 150W
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
On-state resistance: 20mΩ
товар відсутній