Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD18DP10LMATMA1
IPD18DP10LMATMA1

IPD18DP10LMATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD18DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bddd1558c1a43 Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.54 грн
10+ 82.69 грн
100+ 64.36 грн
500+ 51.19 грн
1000+ 41.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD18DP10LMATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPD18DP10LMATMA1 за ціною від 29.6 грн до 113.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD18DP10LMATMA1 IPD18DP10LMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD18DP10LM_DataSheet_v02_00_EN-2942448.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.02 грн
10+ 90.56 грн
100+ 61.4 грн
500+ 52.06 грн
1000+ 42.37 грн
2500+ 39.86 грн
5000+ 37.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD18DP10LMATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd18dp10lm-datasheet-v02_00-en.pdf SP005343850
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD18DP10LMATMA1 IPD18DP10LMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD18DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bddd1558c1a43 Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
товар відсутній