IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 76.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 0.0093 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 67A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPD12CN10NGATMA1 за ціною від 58.8 грн до 177.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD12CN10NGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 67A Power dissipation: 125W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD12CN10NGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 0.0093 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD12CN10NGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 67A Power dissipation: 125W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2153 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD12CN10NGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 67A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V |
на замовлення 7178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD12CN10NGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 1328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD12CN10NGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 0.0093 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD12CN10NGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 67A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |